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RGTH50TS65DGC13 +BOM
IGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 174 W Through Hole TO-247G
TO-247-3-
Produttore:
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ProduttorePart #:
RGTH50TS65DGC13
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Scheda dati:
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Technology:
Si
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Mounting Style:
Through Hole
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Configuration:
Single
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
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EDA/CAD Modelli:
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RGTH50TS65DGC13 Descrizione generale
IGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 174 W Through Hole TO-247G
Specifiche
Product Category: | IGBT Transistors | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Configuration: | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
Maximum Gate Emitter Voltage: | - 30 V, 30 V | Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
Pd - Power Dissipation: | 174 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Packaging: | Tube |
Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A | Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | IGBTs | Part # Aliases: | RGTH50TS65D |
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In Stock: 3.348
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