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RGTV80TK65DGVC11 +BOM

IGBT Trench Field Stop 650 V 39 A 85 W Through Hole TO-3PFM

RGTV80TK65DGVC11 Descrizione generale

IGBT Transistors 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, Built in FRD, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

ROHM Semiconductor inventario

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs Series -
IGBT Type Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V
Current - Collector (Ic) (Max) 39 A Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A Power - Max 85 W
Switching Energy 1.02mJ (on), 710µJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 81 nC Td (on/off) @ 25°C 39ns/113ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 101 ns
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Base Product Number RGTV80 Product Category: IGBT Transistors
Technology: Si Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V Maximum Gate Emitter Voltage: - 30 V, 30 V
Continuous Collector Current at 25 C: 39 A Pd - Power Dissipation: 85 W
Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Packaging: Tube Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA
Product Type: IGBT Transistors Factory Pack Quantity: 30
Subcategory: IGBTs Part # Aliases: RGTV80TK65D

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