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RGT30NL65DGTL +BOM

IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 133 W Surface Mount LPDS

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

RGT30NL65DGTL
Scheda dati:

RGT30NL65DGTL Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelli:

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RGT30NL65DGTL Descrizione generale

IGBT Transistors RGT30NL65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter, UPS, Power Conditioner, Welder.

Specifiche

Product Category:	IGBT Transistors	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C:	30 A
Pd - Power Dissipation:	133 W	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C	Packaging:	Cut Tape
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA	Product Type:	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:	1000	Subcategory:	IGBTs
Part # Aliases:	RGT30NL65D

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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