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RE1C002UNTCL +BOM

RE1C002UN Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount Small Signal Mosfet - EMT-3F

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

RE1C002UNTCL
Scheda dati:

RE1C002UNTCL Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

RE1C002UNTCL Descrizione generale

This transistor is not only efficient, but also environmentally friendly. It is designed to be halogen-free and RoHS compliant, ensuring that it meets the latest industry standards for hazardous materials. This makes it a suitable choice for manufacturers looking to create sustainable and eco-friendly products

Caratteristiche principali

Compact size
Low power consumption
Supports various programming interfaces
High accuracy
Wide operating temperature range
Easy to integrate
Compatible with multiple devices
Built-in security features
Reliable performance
Cost-effective solution

Applicazione

Precise Control
Communication
Smart Home

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	200 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	150 mW	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Forward Transconductance - Min	400 ms	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	15 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Part # Aliases	RE1C002UN	Unit Weight	0.000085 oz

Politiche di servizio e altro

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..