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RGW00TK65DGVC11 +BOM

IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

RGW00TK65DGVC11
Scheda dati:

RGW00TK65DGVC11 Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

650 V
Current - Collector (Ic) (Max):

45 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

200 A
EDA/CAD Modelli:

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RGW00TK65DGVC11 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 650 V 45 A 89 W Through Hole TO-3PFM

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Current - Collector (Ic) (Max)	45 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 50A	Power - Max	89 W
Switching Energy	1.18mJ (on), 960µJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	141 nC	Td (on/off) @ 25°C	52ns/180ns
Test Condition	400V, 50A, 10Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	95 ns
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	RGW00	Product Category:	IGBT Transistors
Technology:	Si	Mounting Style:	Through Hole
Configuration:	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V	Maximum Gate Emitter Voltage:	- 30 V, 30 V
Continuous Collector Current at 25 C:	45 A	Pd - Power Dissipation:	89 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Packaging:	Tube	Continuous Collector Current Ic Max:	45 A
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA	Product Type:	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:	1	Subcategory:	IGBTs
Part # Aliases:	RGW00TK65D

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