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RGCL60TK60GC11 +BOM

With a focus on energy savings and versatility, ROHM's IGBT transistors are suitable for a wide range of high voltage and high current uses

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

RGCL60TK60GC11
Scheda dati:

RGCL60TK60GC11 Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

600 V
Current - Collector (Ic) (Max):

30 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

120 A
EDA/CAD Modelli:

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RGCL60TK60GC11 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 54 W Through Hole TO-3PFM

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Current - Collector (Ic) (Max)	30 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 30A	Power - Max	54 W
Switching Energy	770µJ (on), 1.11mJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	68 nC	Td (on/off) @ 25°C	44ns/186ns
Test Condition	400V, 30A, 10Ohm, 15V	Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	RGCL60
Product Category:	IGBT Transistors	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 30 V, 30 V	Continuous Collector Current at 25 C:	30 A
Pd - Power Dissipation:	54 W	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C	Packaging:	Tube
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA	Product Type:	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:	30	Subcategory:	IGBTs
Part # Aliases:	RGCL60TK60

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