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RGTH80TK65GC11 +BOM

IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

RGTH80TK65GC11
Scheda dati:

RGTH80TK65GC11 Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

650 V
Current - Collector (Ic) (Max):

31 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

160 A
EDA/CAD Modelli:

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RGTH80TK65GC11 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 650 V 31 A 66 W Through Hole TO-3PFM

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Current - Collector (Ic) (Max)	31 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 40A	Power - Max	66 W
Switching Energy	-	Input Type	Standard
Gate Charge	79 nC	Td (on/off) @ 25°C	34ns/120ns
Test Condition	400V, 40A, 10Ohm, 15V	Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	RGTH80
Product Category:	IGBT Transistors	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 30 V, 30 V	Continuous Collector Current at 25 C:	31 A
Pd - Power Dissipation:	66 W	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C	Packaging:	Tube
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA	Product Type:	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:	30	Subcategory:	IGBTs
Part # Aliases:	RGTH80TK65

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