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IXYT55N120A4HV +BOM

IGBT Transistors IGBT XPT GEN 4 1200V TO268HV

Produttore:

Littelfuse Inc
ProduttorePart #:

IXYT55N120A4HV
Scheda dati:

IXYT55N120A4HV Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

175 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

350 A
EDA/CAD Modelli:

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IXYT55N120A4HV Descrizione generale

Utilizing XPT™ thin-wafer technology and 4th generation (GenX4™) Trench IGBT process, these up to 1200V devices helps to reduced gate driver requirements and conduction losses. It features reduced thermal resistance, low losses, high current densities and low gate charge requirement. A positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient enables designers to use multiple devices in parallel.

Caratteristiche principali

Low on-state voltages Vcesat
Positive thermal coefficient of Vcesat
International standard packages

Applicazione

Battery chargers
Lamp ballasts
Power inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding machines
Advantages:
Ideal for high power density and high inrush currents, low loss applications
Hard-switching capable
Easy paralleling of devices
Reduced gate driver requirements
Ease of replacement and availability of isolation package

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	PT	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)	175 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	350 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 55A	Power - Max	650 W
Switching Energy	2.3mJ (on), 5.3mJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	110 nC	Td (on/off) @ 25°C	23ns/300ns
Test Condition	600V, 40A, 5Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	35 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IXYT55	Pin Count	3
Released Date	Jun 15, 2022	Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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