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IXGH48N60C3D1 +BOM

N-channel IGBT Chip capable of handling 300W

Produttore:

Littelfuse
ProduttorePart #:

IXGH48N60C3D1
Scheda dati:

IXGH48N60C3D1 Scheda dati (PDF)
VCES - Collector-Emitter Voltage (V):

600
Collector Current @ 25 ℃ (A):

75
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

2.5
Fall Time [Inductive Load] (ns):

38
EDA/CAD Modelli:

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IXGH48N60C3D1 Descrizione generale

The GenX3™ IGBTs, specifically the IXGH48N60C3D1 model, are an excellent choice for power designers looking for high switching capabilities and low conduction losses. With voltage options of 300V, 600V, and 1200V, these IGBTs cover a wide range of applications in the high voltage power conversion market. The robust HDMOS IGBT process used in manufacturing ensures rugged and durable devices that can handle high surge currents and provide low saturation voltages

Caratteristiche principali

Low loss and high efficiency
Rugged design for harsh environments
Simple drive circuitry
Compliant to automotive standards

Applicazione

Power inverters
Induction heating
Motor controls

Specifiche

Status	Active	VCES - Collector-Emitter Voltage (V)	600
Collector Current @ 25 ℃ (A)	75	VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	2.5
Fall Time [Inductive Load] (ns)	38	Configuration	Copack (FRED)
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)	0.42	Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)	0.57
Collector Current @ 110 ℃ (A)	48	Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)	0.9
Forward Current @ 110 ℃ (A)	30

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