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IXLF19N250A +BOM

IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A

  • Produttore:

    Littelfuse Inc

  • ProduttorePart #:

    IXLF19N250A

  • Scheda dati:

    IXLF19N250A Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Mount:

    Through Hole

  • Number Of Pins:

    3

  • Collector Emitter Breakdown Voltage:

    2.5 kV

  • Collector Emitter Saturation Voltage:

    3.2 V

IXLF19N250A Descrizione generale

IGBT NPT 2500 V 32 A 250 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

ixlf19n250a ixlf19n250a

Caratteristiche principali

  • High power density
  • High frequency operation
  • Low conduction losses
  • MOS gate turn on for drive simplicity
  • 4000V electrical isolation
  • Advantages:
  • Low gate drive requirements
  • Space savings (eliminates multiple series-parallel lower voltage, lower current rated devices)
  • Easy to mount
ixlf19n250a ixlf19n250a

Applicazione

  • Switched-mode and resonant-mode power supplies
  • Uninterruptible Power Supplies (UPS)
  • Laser and X-ray generators
  • Capacitor discharge circuits
  • High voltage pulser circuits
  • High voltage test equipment
  • AC switches
ixlf19n250a ixlf19n250a

Specifiche

Mount Through Hole Number of Pins 3
Collector Emitter Breakdown Voltage 2.5 kV Collector Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.5 kV Current Rating 32 A
Element Configuration Single Max Collector Current 32 A
Max Operating Temperature 150 °C Max Power Dissipation 250 W
Min Operating Temperature -55 °C Packaging Bulk
Power Dissipation 250 W Rise Time 50 ns
Turn-Off Delay Time 600 ns Turn-On Delay Time 100 ns
Voltage Rating (DC) 2.5 kV

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