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IGBT Module PT Single 1200 V 100 A 350 W Chassis, Stud Mount SOT-227B
MODULEProduttore:
ProduttorePart #:
IXA70I1200NA
Scheda dati:
Product:
IGBT Silicon Modules
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.8 V
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IGBT Module PT Single 1200 V 100 A 350 W Chassis, Stud Mount SOT-227B
Product Category: | IGBT Modules | Product: | IGBT Silicon Modules |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V | Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
Gate-Emitter Leakage Current: | 500 nA | Pd - Power Dissipation: | 350 W |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Packaging: | Tube | Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Mounting Style: | SMD/SMT | Product Type: | IGBT Modules |
Series: | IXA70I1200NA | Factory Pack Quantity: | 10 |
Subcategory: | IGBTs | Technology: | Si |
Tradename: | XPT | Unit Weight: | 1.058219 oz |
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IXGR48N60C3D1 by IXYS SEMICONDUCTOR is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a current rating of 56 A
IXLF19N250A
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IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A
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