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IXGH60N60C2 +BOM
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TO-247AD-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IXGH60N60C2
-
Scheda dati:
-
VCES - Collector-Emitter Voltage (V):
600
-
Collector Current @ 25 ℃ (A):
75
-
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):
2.5
-
Fall Time [Inductive Load] (ns):
35
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 5294 PZ
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IXGH60N60C2 Descrizione generale
The GenX3™ IGBTs series, represented by the IXGH60N60C2 product, is a game-changer in the field of switching applications. With a voltage range spanning from 300V to 1200V, these IGBTs offer power designers a new level of flexibility and performance. By utilizing Punch-Through technology, these devices exhibit lower conduction losses and higher surge current capabilities compared to traditional power MOSFETs. The 300V devices are capable of switching frequencies up to 150 kHz, while the 600V models are optimized for frequencies upwards of 200 kHz. For applications requiring even higher voltage capabilities, the 1200V devices provide lower saturation voltages and switching losses
Caratteristiche principali
- Compact size with low profile
- Wide operating temperature range
- Low noise emission
- High reliability & durability
Applicazione
- Advanced SMPS technology
- Efficient PFC circuits
- Fast battery chargers
Specifiche
Status | Phase Out/Obsolete | VCES - Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
Collector Current @ 25 ℃ (A) | 75 | VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 2.5 |
Fall Time [Inductive Load] (ns) | 35 | Configuration | Single |
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W) | 0.26 | Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ) | 1.2 |
Collector Current @ 110 ℃ (A) | 60 | Replaced By Part Number | IXYH60N90C3 |
Politiche di servizio e altro
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In Stock: 5.294
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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