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IXBX75N170 +BOM

High Voltage Disc Igbt Bimosfet To-247Ad/Tube by Littelfuse IXBX75N170

Produttore:

Littelfuse Inc
ProduttorePart #:

IXBX75N170
Scheda dati:

IXBX75N170 Scheda dati (PDF)
Series:

BIMOSFET™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1700 V
Current - Collector (Ic) (Max):

200 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

580 A

IXBX75N170 Descrizione generale

- Designed for simplicity and reliability, the IXBX75N170 incorporates internal control circuits for gate driving and protection, streamlining system integration and reducing the need for external components. Furthermore, its advanced thermal management system ensures consistent operation even under extreme temperatures, making it ideal for challenging environments

Caratteristiche principali

High-speed switching performance
Low thermal resistance
Small footprint size

Applicazione

Radar antenna arrays
Capacitor bank assemblies
X-ray diffraction devices

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	BIMOSFET™
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)	200 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	580 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.1V @ 15V, 75A	Power - Max	1040 W
Switching Energy	-	Input Type	Standard
Gate Charge	350 nC	Td (on/off) @ 25°C	-
Test Condition	-	Reverse Recovery Time (trr)	1.5 µs
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IXBX75

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Prodotto 365 giorni

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Valutazioni e recensioni

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