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IXYN82N120C3H1 +BOM
IXYN82N120C3H1 1200V 105A 500000mW N-CH Trans IGBT Module
MODULE-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IXYN82N120C3H1
-
Scheda dati:
-
Series:
XPT™, GenX3™
-
Configuration:
Single
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1200 V
-
Current - Collector (Ic) (Max):
105 A
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 6204 PZ
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IXYN82N120C3H1 Descrizione generale
IGBT Module Single 1200 V 105 A 500 W Chassis Mount SOT-227B
Caratteristiche principali
- Optimized for 20kHz-60kHz switching
- Square RBSOA
- Short circuit capability
- Avalanche rated
- Ultra-fast anti-parallel diodes
- International standard packages
- Advantages:
- Hard-switching capability
- High power density
- Low gate drive requirements
Applicazione
- Battery chargers
- E-Bikes
- Lamp ballasts
- Power inverters
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- Switched-mode power supplies
- Uninterruptible Power Supplies (UPS)
- Welding machines
Specifiche
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules | Series | XPT™, GenX3™ |
IGBT Type | - | Configuration | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 105 A |
Power - Max | 500 W | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 82A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50 µA | Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.06 nF @ 25 V |
Input | Standard | NTC Thermistor | No |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
Base Product Number | IXYN82 |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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In Stock: 6.204
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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