Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

IXYH50N65C3D1 +BOM

IGBT Transistors Disc XPT-GenX3 TO-247AD

Produttore:

Ixys
ProduttorePart #:

IXYH50N65C3D1
Scheda dati:

IXYH50N65C3D1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IXYH50N65C3D1

IXYH50N65C3D1 Descrizione generale

IGBT 650 V 132 A 600 W Through Hole TO-247 (IXTH)

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.73 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	132 A
Pd - Power Dissipation	600 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Continuous Collector Current Ic Max	250 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..