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IXYH50N120C3D1 +BOM
Transistor IGBT chip designed for high power applications, capable of handling 90A current at 1200V voltage
TO-247-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IXYH50N120C3D1
-
Scheda dati:
-
Pin Count:
3
-
Released Date:
Sep 6, 2022
-
Last Modified Date:
Mar 7, 2023 4:10 PM UTC
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 4165 PZ
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IXYH50N120C3D1 Descrizione generale
The IXYH50N120C3D1 is a top-of-the-line high voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) module that delivers unrivaled performance in industrial settings. With a robust current rating of 50A and an impressive voltage rating of 1200V, this module is a powerhouse when it comes to handling high power requirements with efficiency and reliability
Caratteristiche principali
- Optimized for 20kHz-60kHz switching
- Square RBSOA
- Short circuit capability
- Avalanche rated
- Ultra-fast anti-parallel diodes
- International standard packages
- Advantages:
- Hard-switching capability
- High power density
- Low gate drive requirements
Applicazione
- Battery chargers
- E-Bikes
- Lamp ballasts
- Power inverters
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- Switched-mode power supplies
- Uninterruptible Power Supplies (UPS)
- Welding machines
Specifiche
Pin Count | 3 | Released Date | Sep 6, 2022 |
Last Modified Date | Mar 7, 2023 4:10 PM UTC |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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In Stock: 4.165
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $8,488 | $8,49 |
10+ | $8,115 | $81,15 |
30+ | $7,886 | $236,58 |
100+ | $7,696 | $769,60 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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It got all right. Pretty fast.