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IXYF30N450 +BOM

IGBT 4500 V 23 A 230 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

  • Produttore:

    Littelfuse Inc

  • ProduttorePart #:

    IXYF30N450

  • Scheda dati:

    IXYF30N450 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Series:

    XPT™

  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

    4500 V

  • Current - Collector (Ic) (Max):

    23 A

  • Current - Collector Pulsed (Icm):

    190 A

IXYF30N450 Descrizione generale

IGBT 4500 V 23 A 230 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

Littelfuse Inc inventario

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs Series XPT™
IGBT Type - Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4500 V
Current - Collector (Ic) (Max) 23 A Current - Collector Pulsed (Icm) 190 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 30A Power - Max 230 W
Switching Energy - Input Type Standard
Gate Charge 88 nC Td (on/off) @ 25°C 38ns/168ns
Test Condition 960V, 30A, 15Ohm, 15V Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Base Product Number IXYF30
Product Category: IGBT Transistors Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 4.5 kV Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 23 A
Pd - Power Dissipation: 230 W Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Series: High Voltage
Packaging: Tube Product Type: IGBT Transistors
Factory Pack Quantity: 25 Subcategory: IGBTs
Tradename: XPT Unit Weight: 0.229281 oz

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