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IXYA30N120A4HV +BOM
High Voltage IGBT Chip Transistor (IXYA30N120A4HV)
TO-263-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IXYA30N120A4HV
-
Scheda dati:
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Series:
GenX4™, XPT™
-
IGBT Type:
PT
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1200 V
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Current - Collector (Ic) (Max):
106 A
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 4555 PZ
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IXYA30N120A4HV Descrizione generale
One of the key features of the IXYA30N120A4HV is its reduced thermal resistance, which ensures efficient heat dissipation and enhances overall system reliability. Additionally, this device boasts low losses, high current densities, and a minimal gate charge requirement, further optimizing its performance in demanding operating conditions
Caratteristiche principali
- High efficiency for low power consumption
- Compact size with reduced lead frame
- Fast switching times for high-frequency applications
Applicazione
- Superior performance under load
- Efficient cooling mechanism
- Enhanced power handling
Specifiche
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | GenX4™, XPT™ |
IGBT Type | PT | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 106 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 184 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 25A | Power - Max | 500 W |
Switching Energy | 4mJ (on), 3.4mJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 57 nC | Td (on/off) @ 25°C | 15ns/235ns |
Test Condition | 960V, 25A, 5Ohm, 15V | Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | IXYA30 | Pin Count | 3 |
Released Date | Dec 2, 2020 | Last Modified Date | Mar 7, 2023 4:10 PM UTC |
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In Stock: 4.555
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $18,173 | $18,17 |
200+ | $7,033 | $1.406,60 |
500+ | $6,786 | $3.393,00 |
1000+ | $6,663 | $6.663,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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