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IXTQ30N60P +BOM

Unipolar N-MOSFET transistor engineered for applications requiring a maximum voltage of 600V and a current of 30A

Produttore:

Ixys
ProduttorePart #:

IXTQ30N60P
Scheda dati:

IXTQ30N60P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IXTQ30N60P

Avaq Semiconductor offre il driver IXTQ30N60P altamente versatile e affidabile, prodotto da Ixys. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il IXTQ30N60P.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	30 A	Rds On - Drain-Source Resistance	240 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	540 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IXTQ30N60
Configuration	Single	Fall Time	25 ns
Forward Transconductance - Min	25 S	Height	20.3 mm
Length	15.8 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	20 ns	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	80 ns	Typical Turn-On Delay Time	29 ns
Width	4.9 mm	Unit Weight	0.194007 oz

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