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IXTH150N17T: N-Channel MOSFET, 175 Volts, 150 Amperes (Tc), 830 Watts (Tc), Through Hole TO-247 Package
TO-247-3Produttore:
Ixys
ProduttorePart #:
IXTH150N17T
Scheda dati:
Series:
TrenchHV™
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
175 V
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
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Avaq Semiconductor offre il driver IXTH150N17T altamente versatile e affidabile, prodotto da Ixys. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.
Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il IXTH150N17T.
Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.
Series | TrenchHV™ | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 175 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 75A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9800 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 830W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | IXTH150 |
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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