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IXFH4N100Q +BOM

4 Amps MOSFET with 1000V and 2.8 Rds

Produttore:

Littelfuse
ProduttorePart #:

IXFH4N100Q
Scheda dati:

IXFH4N100Q Scheda dati (PDF)
Drain-Source Voltage (V):

1000
Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

3
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

4
Gate Charge (nC):

39
EDA/CAD Modelli:

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IXFH4N100Q Descrizione generale

In the realm of Power MOSFETs, the IXFH4N100Q stands out as a popular choice among professionals in the industry. Its Q-Class series designation signifies its superior quality and performance, making it a go-to option for applications requiring both hard switching and resonant mode capabilities. With its excellent ruggedness and low gate charge, this Power MOSFET is designed to meet the needs of modern industrial settings, providing a reliable and efficient solution for a wide range of applications

Caratteristiche principali

Thermal shutdown protection for safe operation
Improved electromagnetic interference immunity
Compact and lead-free package design

Applicazione

Robust power management
Integrated circuit protection
Long-lasting durability

Specifiche

Drain-Source Voltage (V)	1000	Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)	3
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)	4	Gate Charge (nC)	39
Input Capacitance, CISS (pF)	1050	Thermal resistance [junction-case] (K/W)	0.8
Configuration	Single	Power Dissipation (W)	156
Maximum Reverse Recovery (ns)	250	Sample Request	No

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..