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IXDA20N120AS +BOM

High voltage, high current IGBT transistor ideal for industrial and commercial power systems

Produttore:

Ixys
ProduttorePart #:

IXDA20N120AS
Scheda dati:

IXDA20N120AS Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

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IXDA20N120AS Descrizione generale

IGBT NPT 1200 V 38 A 200 W Surface Mount TO-263AA

Caratteristiche principali

NPT IGBT technology
Low saturation voltage
Low switching losses
Square RBSOA, no latch up
High short circuit capability
Positive temperature coefficient for easy paralleling
MOS input, voltage controlled
Optional ultra fast diode
International standard packages

Applicazione

AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode power supplies

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.8 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	IXDA20N120AS	Continuous Collector Current	34 A
Continuous Collector Current Ic Max	34 A	Height	4.83 mm
Length	10.29 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	800	Subcategory	IGBTs
Width	9.65 mm	Part # Aliases	IXDA20N120AS-TR
Unit Weight	0.056438 oz

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