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IGBT Transistors 57Amps 1700V
ISOPLUS247Produttore:
ProduttorePart #:
IXBR42N170
Scheda dati:
Series:
BIMOSFET™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max):
57 A
Current - Collector Pulsed (Icm):
300 A
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The BiMOSFET IXBR42N170 is a groundbreaking device that harnesses the best qualities of MOSFETs and IGBTs. Through innovative non-epitaxial construction and cutting-edge fabrication processes, these high voltage devices have set a new standard in performance and reliability. With a unique positive voltage temperature coefficient, the BiMOSFETs are designed for seamless parallel operation, allowing for greater flexibility and efficiency in various applications. The inclusion of a "free" intrinsic body diode not only enhances the device's protection capabilities but also mitigates the risk of voltage transients, ensuring a smooth and uninterrupted operation
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | BIMOSFET™ |
IGBT Type | - | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 57 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 42A | Power - Max | 200 W |
Switching Energy | - | Input Type | Standard |
Gate Charge | 188 nC | Td (on/off) @ 25°C | - |
Test Condition | - | Reverse Recovery Time (trr) | 1.32 µs |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | IXBR42 |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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IXLF19N250A
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IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A