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IXBN75N170 +BOM

IGBT Module Single 1700 V 145 A 625 W Chassis Mount SOT-227B

IXBN75N170 Descrizione generale

BiMOSFETs are devices, which have combined strengths of MOSFETs and IGBTs. Non-epitaxial construction and new fabrication processes were used in making BiMOSFETs a great success.These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage, and the forward voltage drop of its intrinsic diode. Furthermore, this “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Littelfuse Inc inventario

Caratteristiche principali

  • High blocking voltage
  • High power density
  • High current handling capability
  • Low conduction losses
  • MOS gate turn on for drive simplicity
  • International standard and proprietary ISOPLUS
  • TM
  • packages
  • Benefits:
  • Eliminates multiple series-parallel lower voltage, lower current rated
  • devices
  • Simpler system design
  • Improved reliability
  • Reduced component count
  • Reduced system cost

Applicazione

  • Radar transmitter power supplies
  • Radar pulse modulators
  • Capacitor discharge circuits
  • High voltage power supplies
  • AC switches
  • HV circuit breakers
  • Pulser circuits
  • High voltage test equipment
  • Laser & X-ray generators

Specifiche

feature-packaging feature-rad-hard
feature-pin-count 4 feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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