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High voltage, high current IGBT chip suitable for power applications
TO-247-3Produttore:
ProduttorePart #:
IXBH20N360HV
Scheda dati:
Series:
BIMOSFET™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
3600 V
Current - Collector (Ic) (Max):
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm):
220 A
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Additionally, the "free" intrinsic body diode of the IXBH20N360HV serves as a protective measure during device turn-off. By providing an alternative path for the inductive load current, this diode helps prevent high Ldi/dt voltage transients that could potentially damage the device. This added level of protection ensures the longevity and performance of the BiMOSFET even in the most demanding conditions
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | BIMOSFET™ |
IGBT Type | - | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3600 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 220 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A | Power - Max | 430 W |
Switching Energy | 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 110 nC | Td (on/off) @ 25°C | 18ns/238ns |
Test Condition | 1500V, 20A, 10Ohm, 15V | Reverse Recovery Time (trr) | 1.7 µs |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | IXBH20 |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A
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