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Vedi Specifiche Tecniche

IXBH14N300HV +BOM

IGBT 3000 V 38 A 200 W Through Hole TO-247HV (IXBH)

Produttore:

Littelfuse Inc
ProduttorePart #:

IXBH14N300HV
Scheda dati:

IXBH14N300HV Scheda dati (PDF)
Feature-pin-count:

3
Feature-military:

No
Feature-aec-qualified:

No
Feature-svhc:

Yes

IXBH14N300HV Descrizione generale

BiMOSFETs are devices, which have combined strengths of MOSFETs and IGBTs. Non-epitaxial construction and new fabrication processes were used in making BiMOSFETs a great success.These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage, and the forward voltage drop of its intrinsic diode. Furthermore, this “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Caratteristiche principali

"Free" intrinsic body diode
High power density
High frequency operation
Low conduction losses
MOS gate turn on for drive simplicity
4000V electrical isolation
Advantages:
Low gate drive requirements
Space savings (eliminates multiple series-parallel lower voltage, lower current rated devices)
Easy to mount

Applicazione

Switched-mode and resonant-mode power supplies
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Laser and X-ray generators
Capacitor discharge circuits
High voltage pulser circuits
High voltage test equipment
AC switches

Specifiche

feature-packaging		feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-eccn-code		feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	Yes

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..