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CGHV96100F2 +BOM

High-power amplification for wireless communication system

Produttore:

Macom
ProduttorePart #:

CGHV96100F2
Scheda dati:

CGHV96100F2 Scheda dati (PDF)
Shipping Restrictions:

This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN
Operating Frequency:

7.9 GHz to 9.6 GHz

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

CGHV96100F2 Descrizione generale

RF Mosfet 40 V 1 A 7.9GHz ~ 9.6GHz 10.2dB 131W 440210

Specifiche

Product Category	RF JFET Transistors	Shipping Restrictions	This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Type	HEMT	Technology	GaN
Operating Frequency	7.9 GHz to 9.6 GHz	Gain	12.4 dB
Transistor Polarity	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 10 V to 2 V	Id - Continuous Drain Current	12 A
Output Power	131 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	Screw Mount
Configuration	Single	Development Kit	CGHV96100F2-TB
Height	5.03 mm	Length	23.01 mm
Product	GaN HEMTs	Product Type	RF JFET Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 3 V	Width	24.26 mm
Unit Weight	2.301097 oz

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