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2N7002H6327XT +BOM

Mosfet Array 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO

2N7002H6327XT Descrizione generale

Mosfet Array 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Infineon inventario
Infineon Stock originale

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 300 mA Rds On - Drain-Source Resistance 1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 600 pC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 500 mW
Channel Mode Enhancement Qualification AEC-Q101
Configuration Single Fall Time 3.1 ns
Forward Transconductance - Min 200 mS Height 1.1 mm
Length 2.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 3.3 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 5.5 ns Typical Turn-On Delay Time 3 ns
Width 1.3 mm Part # Aliases 2N7002 SP000929182 H6327 2N7002H6327XTSA2
Unit Weight 0.000282 oz

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