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Vedi Specifiche Tecniche

IRF640N +BOM

High-power N-channel MOSFET for demanding applications

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRF640N
Scheda dati:

IRF640N Scheda dati (PDF)
Tj Max:

175.0 °C
Mounting:

THT
Polarity:

N
Ptot Max:

150.0 W
EDA/CAD Modelli:

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IRF640N Descrizione generale

In the realm of power management, the IRF640N stands out as a top performer. Its wide portfolio of devices caters to a range of applications, including inverters, load switches, and more. With a focus on efficiency and reliability, the IRF640N is a valuable tool for engineers seeking to optimize their designs. Whether you're working on a complex SMPS system or a simple battery-powered application, the IRF640N has the capabilities to support your project effectively

Specifiche

Tj max	175.0 °C	Mounting	THT
Polarity	N	Ptot max	150.0 W
RthJC max	1.0 K/W	VDS max	200.0 V
VGS max	20.0 V	RDS (on) max	150.0 mΩ
VGS(th) max	4.0 V	VGS(th) min	2.0 V
ID max	18.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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