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2N6301 +BOM
High voltage handling capacity in BJT transistors
TO-213AA-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
2N6301
-
Scheda dati:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
80 V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 4755 PZ
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2N6301 Descrizione generale
The TO-92 package of the 2N6301 is another important aspect to consider. This industry-standard package type provides easy mounting on printed circuit boards, allowing for quick and convenient installation. Additionally, the TO-92 package offers good thermal conductivity, ensuring efficient heat dissipation during operation
Caratteristiche principali
- Silicon Epitaxial Planar Transistor
- P-N-P, Low Power, High Current Gain
- Low Noise Figure, Fast Switching Speed
- Suitable for Audio and Signal Processing Applications
Applicazione
- Quality signal processing
- Amplify with accuracy
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 3 V |
Maximum DC Collector Current | 8 A | Pd - Power Dissipation | 75 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 200 C |
Continuous Collector Current | 8 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 100 |
DC Current Gain hFE Max | 18000 | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Unit Weight | 0.824529 oz |
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In Stock: 4.755
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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