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2N6229 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor

2N6229 Descrizione generale

Product 2N6229 is a Power Bipolar Transistor designed for high-power applications. With a maximum collector current (I(C)) of 6A and a collector-emitter breakdown voltage (V(BR)CEO) of 100V, this PNP transistor is capable of handling large amounts of power while maintaining stability and reliability

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 35 Weeks
Collector Current-Max (IC) 6 A Collector-Emitter Voltage-Max 100 V
DC Current Gain-Min (hFE) 25 JEDEC-95 Code TO-3
JESD-30 Code O-MBFM-P2 JESD-609 Code e0
Number of Terminals 2 Polarity/Channel Type PNP
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD Terminal Form PIN/PEG
Terminal Position BOTTOM Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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