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2N6193 +BOM

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Produttore:

Microchip
ProduttorePart #:

2N6193
Scheda dati:

2N6193 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

100 V
EDA/CAD Modelli:

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2N6193 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 5 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	700 mV
Maximum DC Collector Current	5 A	Pd - Power Dissipation	1 W
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	60 at 2 A, 2 VDC
DC Current Gain hFE Max	240 at 2 A, 2 VDC	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.504594 oz

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