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2N6031 +BOM

. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits.

Produttore:

MICROCHIP
ProduttorePart #:

2N6031
Scheda dati:

2N6031 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

140 V
Power - Max:

200 W
EDA/CAD Modelli:

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2N6031 Descrizione generale

. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits.

Caratteristiche principali

High Collector Emitter Sustaining Voltage
V_CEO(sus) = 140 Vdc
High DC Current Gain - @ I_C = 8.0 Adc
h_FE = 15 (Min)
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
V_CE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ I_C = 10 Adc
These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	140 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	-
Current - Collector Cutoff (Max)	-	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Power - Max	200 W	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-	Mounting Type	Through Hole
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	140 V	Collector- Base Voltage VCBO	140 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	2 V
Maximum DC Collector Current	16 A	Pd - Power Dissipation	200 W
Gain Bandwidth Product fT	1 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	16 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	15	Height	8.51 mm
Length	39.37 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	26.67 mm
Unit Weight	0.056438 oz

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