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2N3792 +BOM

80V 5W 50@1A,2V 10A PNP TO-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Produttore:

Tt Electronics
ProduttorePart #:

2N3792
Scheda dati:

2N3792 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelli:

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2N3792 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 150 W Through Hole TO-3

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	10 A	Pd - Power Dissipation	150 W
Gain Bandwidth Product fT	4 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Continuous Collector Current	- 10 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	50 at 1 A, 2 V	DC Current Gain hFE Max	180 at 1 A, 2 V
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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