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2N3791 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 5 W Through Hole TO-3 (TO-204AA)

2N3791 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 5 W Through Hole TO-3 (TO-204AA)

Microchip inventario
Microchip Stock originale

Specifiche

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style Through Hole
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1 V
Maximum DC Collector Current 10 A Pd - Power Dissipation 150 W
Gain Bandwidth Product fT - Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 200 C DC Collector/Base Gain hfe Min 50 at 1 A, 2 VDC
DC Current Gain hFE Max 150 at 1 A, 2 VDC Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 1 Subcategory Transistors
Technology Si

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