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2N3725 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5

2N3725 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
Collector Current-Max (IC) 0.5 A Collector-Emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 25
JEDEC-95 Code TO-39 JESD-30 Code O-MBCY-W3
JESD-609 Code e0 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 200 °C
Polarity/Channel Type NPN Power Dissipation-Max (Abs) 0.8 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD Terminal Form WIRE
Terminal Position BOTTOM Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 300 MHz
Turn-off Time-Max (toff) 60 ns Turn-on Time-Max (ton) 35 ns

Politiche di servizio e altro

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