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2N3720 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 60MHz 6 W Through Hole TO-5AA

2N3720 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 60MHz 6 W Through Hole TO-5AA

Caratteristiche principali

  • Low Saturation Voltage: 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp
  • High Gain Characteristics: hFE @ IC = 250 mA: 30-100
  • Excellent Safe Area Limits
  • Low Collector Cutoff Current: 100 nA (Max) 2N3740A

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
Additional Feature HIGH RELIABILITY Collector Current-Max (IC) 3 A
Collector-Emitter Voltage-Max 60 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 25 JEDEC-95 Code TO-5
JESD-30 Code O-MBCY-W3 JESD-609 Code e0
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 200 °C Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form WIRE Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 60 MHz Turn-off Time-Max (toff) 400 ns
Turn-on Time-Max (ton) 100 ns

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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