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2N3497 +BOM

Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Produttore:

MICROCHIP
ProduttorePart #:

2N3497
Scheda dati:

2N3497 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

120V
Frequency - Transition:

150MHz
Power - Max:

400mW
EDA/CAD Modelli:

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2N3497 Descrizione generale

RF Transistor PNP 120V 100mA 150MHz 400mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)

Caratteristiche principali

General-purpose silicon transistor for switching and amplifier applications.
Housed in TO-39 case.
Also available in chip form using the 5620 chip geometry.
The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/366 which Semicoa meets in all cases.

Specifiche

Transistor Type	PNP	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Frequency - Transition	150MHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	-	Power - Max	400mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 50mA, 10V	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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