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2N3442 +BOM

10 A, 140 V NPN Bipolar Power Transistor

2N3442 Descrizione generale

The 10 A, 140 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for applications in industrial and commercial equipment including high fidelity audio amplifiers, series and shunt regulators and power switches.

Caratteristiche principali

  • Collector -Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 140 Vdc (Min)
  • Excellent Second Breakdown Capability
  • Pb-Free Package is Available

Specifiche

Source Content uid 2N3442 Pbfree Code No
Part Life Cycle Code Obsolete Pin Count 2
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Case Connection COLLECTOR Collector Current-Max (IC) 10 A
Collector-Emitter Voltage-Max 140 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 7.5 JEDEC-95 Code TO-204AA
JESD-30 Code O-MBFM-P2 JESD-609 Code e0
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 200 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 235
Polarity/Channel Type NPN Power Dissipation-Max (Abs) 117 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD Terminal Form PIN/PEG
Terminal Position BOTTOM Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 0.08 MHz
Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style Through Hole
Transistor Polarity NPN Collector- Emitter Voltage VCEO Max 140 V
Collector- Base Voltage VCBO 160 V Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 5 V Maximum DC Collector Current 10 A
Pd - Power Dissipation 117 W Gain Bandwidth Product fT 80 MHz
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Continuous Collector Current 10 A DC Collector/Base Gain hfe Min 20
Height 8.51 mm Length 39.37 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 100
Subcategory Transistors Technology Si
Width 26.67 mm Unit Weight 0.056438 oz

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