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2N3019S +BOM
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
TO-39-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
2N3019S
-
Scheda dati:
-
Part Life Cycle Code:
Active
-
Reach Compliance Code:
compliant
-
Collector Current-Max (IC):
1 A
-
Collector-Emitter Voltage-Max:
80 V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 4050 PZ
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2N3019S Descrizione generale
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Caratteristiche principali
- Radiation graphs available
- Product Summary:
Specifiche
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | compliant |
Collector Current-Max (IC) | 1 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 80 V |
Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 15 |
JEDEC-95 Code | TO-205AD | JESD-30 Code | O-MBCY-W3 |
JESD-609 Code | e4 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Polarity/Channel Type | NPN | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | NO | Terminal Finish | GOLD |
Terminal Form | WIRE | Terminal Position | BOTTOM |
Transistor Element Material | SILICON | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | NPN |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | Collector- Base Voltage VCBO | 140 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
Maximum DC Collector Current | 1 A | Pd - Power Dissipation | 800 mW |
Gain Bandwidth Product fT | - | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 200 C | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Unit Weight | 0.118585 oz |
Politiche di servizio e altro
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In Stock: 4.050
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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