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2N2904 +BOM

Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Produttore:

MICROCHIP
ProduttorePart #:

2N2904
Scheda dati:

2N2904 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.6V @ 50mA, 500mA
EDA/CAD Modelli:

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2N2904 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 600 mW Through Hole TO-39

Specifiche

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 10mA, 10V
Power - Max	600 mW	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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