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WAS530M12BM3 +BOM

Discrete Semiconductor Modules BM3, 1200V, 530A SiCHalf-Bridge Module

Produttore:

MACOM
ProduttorePart #:

WAS530M12BM3
Scheda dati:

WAS530M12BM3 Scheda dati (PDF)
Product:

Power MOSFET Modules
Type:

Half-Bridge Module
Technology:

SiC
Vf - Forward Voltage:

2 V
EDA/CAD Modelli:

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WAS530M12BM3 Descrizione generale

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 630A (Tc) Chassis Mount

Specifiche

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Product	Power MOSFET Modules
Type	Half-Bridge Module	Technology	SiC
Vf - Forward Voltage	2 V	Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V
Mounting Style	Chassis Mount	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Configuration	Dual
Id - Continuous Drain Current	630 A	Product Type	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance	3.47 mOhms	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.6 V

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