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WAS300M12BM2 +BOM

Bridge Module, 1200V, 300A Discrete Semiconductor Modules BM2

Produttore:

Wolfspeed, Inc.
ProduttorePart #:

WAS300M12BM2
Scheda dati:

WAS300M12BM2 Scheda dati (PDF)
Technology:

Silicon Carbide (SiC)
Configuration:

2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:

Silicon Carbide (SiC)
Drain To Source Voltage (Vdss):

1200V (1.2kV)
EDA/CAD Modelli:

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WAS300M12BM2 Descrizione generale

One standout feature of the WAS300M12BM2 is its compact design, making it perfect for applications where space is limited. The integrated gate driver and built-in temperature sensor further enhance its usability, allowing for safe operation even under extreme temperatures. Additionally, the module boasts advanced protection functions like overcurrent and short-circuit protection, ensuring peace of mind when it comes to system reliability

Specifiche

Technology	Silicon Carbide (SiC)	Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature	Silicon Carbide (SiC)	Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	423A (Tc)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3mOhm @ 300A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 15mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1025nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	19300pF @ 600V	Power - Max	1.668kW (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	WAS300

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