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WAB300M12BM3 +BOM

1200V, 300A SiC Power Module meeting RoHS requirements

Produttore:

Wolfspeed, Inc.
ProduttorePart #:

WAB300M12BM3
Scheda dati:

WAB300M12BM3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Silicon Carbide (SiC)
Configuration:

2 N-Channel (Half Bridge)
Drain To Source Voltage (Vdss):

1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

382A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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WAB300M12BM3 Descrizione generale

Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 300A, 1200V, 62mm, BM3, Switching Optimized, Industrial, THB-80, Gen 3

Specifiche

Technology	Silicon Carbide (SiC)	Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	382A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2mOhm @ 300A, 15V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 92mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	908nC @ 15V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24500pF @ 1000V
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	WAB300

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