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Vedi Specifiche Tecniche

HGTG30N60A4D

TO-247AC-3 IGBTs ROHS

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

HGTG30N60A4D
Scheda dati:

HGTG30N60A4D Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

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HGTG30N60A4D Descrizione generale

The HGTG30N60A4D is a MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49343. The diode used in anti-parallel is the development type TA49373. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies. Formerly Developmental Type TA49345.

Caratteristiche principali

100kHz Operation at 390V, 30A
200kHz Operation at 390V, 18A
600V Switching SOA Capability
Typical Fall Time. . . . . . . . . . 60ns at T_J = 125&°C
Low Conduction Loss
Temperature Compensating SABER^™Model

Applicazione

AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	70 A	Pd - Power Dissipation	463 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	HGTG30N60A4D	Continuous Collector Current	75 A
Continuous Collector Current Ic Max	75 A	Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	IGBTs	Width	4.82 mm
Part # Aliases	HGTG30N60A4D_NL	Unit Weight	0.225401 oz

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