Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

VN66AFD +BOM

Only available for OEMs and CMs

Produttore:

NEW JERSEY SEMICONDUCTOR
ProduttorePart #:

VN66AFD
Scheda dati:

VN66AFD Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Case Connection:

DRAIN
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min:

60 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per VN66AFD

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

VN66AFD Descrizione generale

N channel power MOSFET,VN66AFD 1.46A 60V

Caratteristiche principali

Low On-Resistance: 1.2 Ω
Low Threshold: <1.6 V
Low Input Capacitance: 35 pF
Fast Switching Speed: 9 ns
Low Input and Output Leakage
BENEFITS
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage

Specifiche

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	1.46 A
Drain-source On Resistance-Max	6 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	3 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..