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VN3205N3-G +BOM

MOSFET, N-Channel Enhancement-Mode, 50V, 0.3 Ohm.

Produttore:

Microchip Technology, Inc
ProduttorePart #:

VN3205N3-G
Scheda dati:

VN3205N3-G Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Number Of Channels:

1 Channel
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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VN3205N3-G Descrizione generale

Featuring a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process, the VN3205N3-G transistor offers the best of both worlds - the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance of MOS devices. Its thermal stability and resistance to thermal runaway make it a reliable choice for various applications requiring high breakdown voltage, low input capacitance, and fast switching speeds

Caratteristiche principali

High input impedance and low output noise
Fully compliant with industry standards and specifications

Microchip Technology, Inc Stock originale

Specifiche

Product Category:	MOSFET	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	50 V
Id - Continuous Drain Current:	1.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance:	300 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	800 mV	Vgs - Gate-Source Voltage:	10 V
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	1 W	Configuration:	Single
Channel Mode:	Enhancement	Packaging:	Bulk
Height:	5.33 mm	Length:	5.21 mm
Transistor Type:	1 N-Channel	Type:	FET
Width:	4.19 mm	Forward Transconductance - Min:	1 S
Fall Time:	25 ns	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	15 ns	Factory Pack Quantity:	1000
Subcategory:	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time:	25 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns	Unit Weight:	0.016000 oz
Tags	VN3205N3-G, VN3205N3, VN3205N, VN3205, VN320, VN32, VN3

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