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PBSS4350SS,115 +BOM

Dual NPN bipolar junction transistor

Produttore:

Nexperia USA Inc.
ProduttorePart #:

PBSS4350SS,115
Scheda dati:

PBSS4350SS,115 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

2.7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

340mV @ 270mA, 2.7A

PBSS4350SS,115 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 2.7A 2W Surface Mount 8-SO

Caratteristiche principali

Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
High efficiency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Specifiche

Transistor Type	2 NPN (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	2.7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	340mV @ 270mA, 2.7A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 1A, 2V
Power - Max	2W	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	PBSS4350SS

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