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PBSS5560PA,115 +BOM

60 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Produttore:

Nexperia Semiconductor (NXP)
ProduttorePart #:

PBSS5560PA,115
Scheda dati:

PBSS5560PA,115 Scheda dati (PDF)
Feature-packaging:

Tape and Reel
Feature-pin-count:

3
Feature-cecc-qualified:

No
Feature-military:

No
EDA/CAD Modelli:

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PBSS5560PA,115 Descrizione generale

PNP low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.NPN complement: PBSS4560PA.

Caratteristiche principali

Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
Leadless small SMD plastic package with medium power capability

Nexperia Semiconductor (NXP) Stock originale

Applicazione

Loadswitch
Battery-driven devices
Power management
Charging circuits
Power switches (e.g. motors, fans)

Specifiche

feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes	feature-svhc-exceeds-threshold	No

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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