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PBSS5240T +BOM

Rugged and reliable device suitable for demanding electronic systems

PBSS5240T Descrizione generale

PNP low V transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4240T

Caratteristiche principali

  • Low collector-emitter saturation voltage
  • High current capability
  • Improved device reliability due to reduced heat generation

Applicazione

  • Supply line switching circuits
  • Battery management applications
  • DC/DC converter applications
  • Strobe flash units
  • Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers)

Specifiche

Source Content uid PBSS5240T Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Transferred Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Collector Current-Max (IC) 2 A Collector-Emitter Voltage-Max 40 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 100
JEDEC-95 Code TO-236AB JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Tin (Sn) Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 200 MHz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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